氧化銦錫（ITO）由于其在可見(jiàn)光區(qū)的高透射率和低電阻率，作為一種透明導(dǎo)電薄膜被廣泛的應(yīng)用于太陽(yáng)能電池和液晶顯示器等各種光電設(shè)備中。

       使用電子束蒸發(fā)技術(shù)，選擇合適的生長(zhǎng)參數(shù)在玻璃襯底上制備所需的氧化銦錫薄膜，進(jìn)行了化學(xué)成分、晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)等常規(guī)測(cè)量，并研究了退火對(duì)薄膜性質(zhì)的影響。然后用光刻和刻蝕的方法制作電學(xué)測(cè)試所需的圖形。對(duì)于ITO薄膜的電學(xué)測(cè)試包括對(duì)其電阻溫度系數(shù)和響應(yīng)因子的測(cè)量?jī)刹糠帧Ｇ罢呤怯煤隗w輻射來(lái)改變ITO樣品的溫度，測(cè)量在不同溫度下的薄膜電阻值，并建立了一個(gè)理論模型來(lái)擬合溫度下降階段ITO樣品電阻值的變化，并從擬合參數(shù)中得到其電阻溫度系數(shù)和激活能。后者是在室溫下，通過(guò)改變薄膜一端的位移，測(cè)量不同應(yīng)變下ITO圖形樣品的電阻值，計(jì)算得到其響應(yīng)因子。由于ITO樣品的電阻值在測(cè)量過(guò)程中存在一個(gè)不能被忽視的隨著時(shí)間的漂移量，所以在計(jì)算過(guò)程中考慮了這一漂移量帶來(lái)的影響。同時(shí)還估算了由于測(cè)試電流產(chǎn)生的焦耳熱引起的溫升，證明溫升引起的電阻變化遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于壓阻效應(yīng)，可以忽略。實(shí)驗(yàn)中分別測(cè)量ITO樣品在拉應(yīng)變和壓應(yīng)變不同條件下的響應(yīng)因子，得到的響應(yīng)因子大約為-2.1。